，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种场效应晶体管、其制作方法及集成电路“，公开号CN117203742A，申请日期为2021年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种场效应晶体管、其制作方法及集成电路，该场效应晶体管可以包括:第一冷源极、第二冷源极、沟道、栅极，以及栅极介质层。第一冷源极包括:第一掺杂层、第二掺杂层，以及第一导体层，第一掺杂层与沟道接触。第二冷源极包括:第三掺杂层、第四掺杂层，以及第二导体层，第三掺杂层与沟道接触。第一掺杂层与第三掺杂层属于同一掺杂类型，第二掺杂层与第四掺杂层属于同一掺杂类型，第一掺杂层与第二掺杂层属于不同的掺杂类型。通过在场效应晶体管中设置第一冷源极和第二冷源极，通过调整第一冷源极或第二冷源极的载流子态密度，可以降低场效应晶体管的亚阈值摆幅，进而降低集成电路的工作电压，使集成电路的功耗较低。

本文源自:金融界

作者:情报员

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