日前，三星宣布开始大规模生产基于极紫外技术的14 nm DRAM。

继去年3月首款EUV DRAM出货后，目前EUV层数将增至5层，这将为DDR5提供更好的解决方案。

三星电子高级副总裁，DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示，我们通过探索关键的创新图案化技术，引领DRAM市场近三年现在，三星正在通过多层EUV建立另一个技术里程碑，实现了14 nm的极致——，这是传统氟化氩工艺无法实现的壮举在此基础上，我们将继续为5G，AI和虚拟世界中需要更高性能和更大容量的数据驱动计算提供最差异化的内存解决方案

通过在14纳米动态随机存取存储器中增加五个EUV层，三星实现了超高的位密度，并将整体晶圆生产率提高了约20%此外，与上一代DRAM相比，14 nm工艺有助于将功耗降低近20%

根据最新的DDR5标准，三星的14 nm DRAM可以带来7.2Gbps的超高速，是上一代DDR4最高3.2Gbps速度的两倍多。

与此同时，三星计划扩大其14纳米DDR5的产品组合，以支持数据中心，超级计算机和企业服务器应用此外，三星预计将14 nm DRAM芯片密度提升至24Gb，以更好地满足全球IT系统快速增长的数据需求

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